在横向模式的普克尔盒中，半波电压通常取决与电极之间长宽之比。与此不同，纵向模式的半波电压由波长确定的，随晶体结构变化很微弱。这就导致了在大多数应用中需要加载很高的电压（如对于1064nm, 半波电压超过6KV）。当然，在某些领域我们可以采用横向模式器件来解决这个问题。然而，对于大多数情况， 只有纵向模式器件能够提供合适的光学性能，比如在需要更高消光比的领域。 针对此问题，我们设计了双晶体普克尔盒，这样的组合器件以加倍负载电容为代价，将需要的驱动电压降低了一半。
Example Specifications
Parameter
Performance
Aperture
8mm
Wavelength Range
0.3-1.2μm
Half-wave Voltage @ 1.06μm
3.0kV
Maximum Voltage
5kV
Optical Rise Time
< 0.25ns
Contrast Ratio @ 1.06μm
> 600:1
Capacitance Unterminated
30pf
Damage Threshold Q-switched
600MW/cm2
Insertion Loss
7%
Terminations
H.V.BNC
Finish
Blackanodised
Physical Dimensions
50mm dia. 72mm long
免责声明：本商铺所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责，一比多公司对此不承担任何保证责任。
友情提醒：为保障您的利益，降低您的风险，建议优先选择商机宝付费会员的产品和服务。